报告地点：雅各楼116会议室
报告时间：11月13日上午9点
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报告人简介
赵超，男，中科院半导体所微电子学与固体电子学专业博士， 现在德国亚琛工业大学任研究科学家。长期从事 III-V 族半导体 材料及器件外延方面的研究。实现了电注入硅基激光器和发光二 极管，其激光器部分性能优于昂贵的氮化镓衬底上的结果，解决 了硅基光子集成技术中缺乏硅基光源这一瓶颈问题；首次提出并 实现了金属衬底上的高性能发光二极管，突破了异质集成中的物 理失配限制，有效解决了大功率半导体器件的散热问题；此外还 突破了传统外延限制，发展了多种异质外延技术，被多家媒体广 泛报道。在Nano Letters, Progress in Quantum Electronics， Advanced Materials， Nanoscale，Applied Physics Letters 以 及 Nano Energy 等半导体材料和器件领域的国际权威期刊上发 表SCI论文50余篇，专利5项。多次受邀在国际学术会议上作 报告，目前是电气电子工程师学会高级会员，美国光学协会和美 国化学学会的会员，是十多个国际期刊的审稿人。
报告摘要
半导体外延生长，是半导体芯片制造的核心关键技术，是国 家的重大需求。绝大多数光电子器件和微电子器件的制备以及新 型半导体材料的开发，关键在于高质量材料的异质外延生长技 术，这其中大失配异质外延技术尤其是难点。 本报告介绍了我们在这个领域取得的一些成果，包括实现了 电注入硅基激光器和发光二极管，解决了硅基光子集成技术中缺 乏硅基光源这一瓶颈问题；实现了金属衬底上的高性能发光二极 管，突破了异质集成中的物理失配限制，有效解决了大功率半导 体器件的散热问题；突破了传统外延限制，发展了多种异质外延 技术。本报告还将介绍这些材料和器件在照明、通讯等领域的一 些应用成果。
