1、设备参数

系统使用405nm激光源， 可实现高达300nm特征尺寸

直写表征

1) 线宽尺寸最小0.3µm；

2) 线宽均匀性<50nm；

3) 格栅边缘粗糙度<20nm；

4) 光强均匀性<0.5%；

5) 自动对焦均匀性<1%；

直写模式

1) 直写精度0.3µm、0.6µm、0.9µm；

2) 工作距离0.6mm；

3) 对准精度<0.5um；

4) 曝光区域最大110mm×110mm；

5) 扫描速度最大200mm/s；

6) 基板尺寸最小5×5mm，最大125mm×125mm。

2、简介

无掩模激光直写系统是一套利用强度可变激光束对基片表面的光刻胶实施曝光的设备。对光刻胶材料显影后可在光刻胶层表面形成要求的浮雕轮廓。主要用于制作各种光栅、MEMS和半导体芯片。

3、功能(应用)

1)光学掩膜版制；

2) MEMS微结构；

3) 光子器件、波导器件；

4) 先进电子封装。